Znanstvenici u tehnologiji nanocijevi napravili iskorak koji će promijeniti elektroničke uređaje

Ugljikove poluvodičke nanocjevčice (CNT) su izuzetno izdržljive no relativno lagane, i imaju jedinstvena elektronička i optička svojstva.

Ugljikove poluvodičke nanocjevčice (CNT) su izuzetno izdržljive no relativno lagane, i imaju jedinstvena elektronička i optička svojstva.

Getty Images
Tech giganti traže načine kako zamijeniti silicij u napravama nove generacije. Znanstvenici s Instituta za znanost i tehnologiju Skolkovo u Moskvi se približavaju velikom otkriću.

Silicijski mikroprocesori se koriste u mnogim elektroničkim uređajima, uključujući mobilne telefone, ali mogućnosti silicija su dostigle svoje granice. Programeri diljem svijeta traže načine za smanjenje troškova i povećanje performanci naprava. Nova istraživanja Instituta za znanost i tehnologiju Skolkovo (Skoltech) bi im mogla pomoći da se primaknu korak bliže ostvarenju cilja.

Moskovski su znanstvenici, u suradnji s Istraživačkim centrom IBM Watson, analizirali ponašanje električnih kontakata u ugljikovim poluvodičkim nanocjevčicama (CNT), koje su izuzetno izdržljive no relativno lagane, i koje imaju jedinstvena elektronička i optička svojstva. Ugljikove nanocjevčice mogu puno učinkovitije provoditi električnu energiju od drugih materijala, poput silicija i bakra.

Očekuje se da će u bliskoj budućnosti ugljikove nanocjevčice promijeniti elektroničku industriju proizvodnjom tranzistora koji su puno manji, brži i učinkovitiji od ičega što je postignuto tehnologijom silikonskih čipova.

Nanocijevi su daleko superiornije od silicijskih tranzistora zahvaljujući niskoj otpornosti kanala nanocjevčica, no njihov kontaktni otpor je značajna prepreka njihovom širem uvođenju u proizvodnju. Kada se veličina cijevi smanji na nekoliko desetina nanometra, kontaktni otpor postaje problem. Ranija istraživanja na terenu su pokazala da je pritisak metala na poluvodičke cijevi dovoljno visok da ih spljošti.

"U našim najnovijim istraživanjima smo prilično neočekivano predvidjeli da poluvodičke cijevi spljoštene metalnim kontaktom postaju metalne", pojasnio je profesor Vasilij Perebejnos, glavni autor studije. "U tom se slučaju kontaktni otpor povećava te se naknadno ne smanjuje, što je posljednica lomljenja aksijalne simetrije deformiranih cijevi izloženih metalnom kontaktu."

Ovo istraživanje je pomoglo da se razjasne koraci koji se mogu poduzeti kako bi se smanjio kontaktni otpor. Prema znanstvenicima, poželjno je koristiti cijevi relativno malog promjera.